授業科目名 電子デバイスプロセス評価特論
英語授業科目名 Studies on Processes and Characterizations of Electron Devices
科目ナンバリング
講義番号 D30175 担当教員[ローマ字表記] 土方 泰斗 [Hijikata,Yasuto]
科目区分 理工学研究科博士後期課程理工学 開講学部 理工学研究科博士後期課程
単位数 2 必修・指定選択・選択の別
開講学期(期別) 第4 曜日時限 火2,木2
教室 理工研-各研究室 対象年次
初年次教育科目

クラス指定

他との関連(関連項目)

先端エレクトロニクス材料特論、薄膜光電子工学特論、光エレクトロニクス物性特論、量子光デバイス工学特論

履修条件(授業に必要な既修得科目または前提知識)

電気電子材料工学、電子デバイス工学、半導体工学、量子力学、固体物性論、光エレクトロニクス等の知識があると講義の理解がより一層深まる。

テーマ・副題

授業科目の到達目標

工学技術者として製品開発や設計をする上で必要不可欠となる材料工学に関する基礎知識と考え方を体得するとともに、最新鋭のエレクトロニクス材料の技術開発に関する幅広い知識を得ることを本講義の到達目標とする。

授業キーワード

半導体プロセス、半導体物性評価、電子デバイス、エレクトロニクス材料、光エレクトロニクス、ナノマテリアル

授業の内容

各種エレクトロニクス材料の内比較的新しく開発されたものについて、開発における歴史的背景やその基本的な諸特性、材料作製法、デバイスへの応用等について紹介し、その特徴と性能、及び特性の評価方法について講義する。

授業の方法・事前準備学修・事後展開学修

通常の講義

授業展開(スケジュール)

ガイダンス
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半導体の応用物性
・電気伝導特性、・エネルギーバンド構造、・光物性、・素子接合特性
半導体プロセス技術
・結晶成長技術、・加工技術、・素子作製技術
半導体物性評価
・電気的評価、・光学的評価
新規機能性材料とそのプロセス・評価
・ナノマテリアル、・高速デバイス材料、・極限環境材料、・フォトニック結晶
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成績評価方法

レポート課題(100%)

成績評価基準

「単位修得の認定に関する規程」に定める計算式により算出したGPが1以上を合格、1未満を不合格とする。
出席回数が講義全体の2/3未満である場合は欠席とし、期末試験を受けることができないので注意すること。

テキスト

講義で配布するプリント

参考図書

講義中に紹介する

学生へのメッセージ

ナノマテリアル、極限環境材料等、エレクトロニクス分野における材料開発の進展は留まることを知らない。過去、新たな材料開発やその応用技術におけるブレイクスルーが如何にして達成されたかについて解説し、当該分野における研究開発の最新の素子化プロセス及びその評価評価技術について紹介していく予定である。

その他・備考